出資・ファンド · 半導体

デンソーと三菱電機、米コヒレントのSiC事業に計10億ドル出資

デンソーと三菱電機は、米コヒレントの炭化ケイ素（SiC）事業にそれぞれ5億ドルを出資し、12.5%ずつの少数株主となることで合意した。コヒレントは75%を保有し続ける。同事業は両社と、150ミリと200ミリのSiC基板・エピタキシャルウエハーの長期供給契約を結ぶ。

ポイント

SiCパワー半導体はEVのインバーターに欠かせない。今回の出資で、日本のパワーエレクトロニクス大手2社が供給の限られるSiC基板を確保する。

取引は2023年10月10日に発表され、目標の2024年1〜3月期より早い2023年12月4日に完了した。コヒレントは炭化ケイ素事業を新子会社に移し、引き続き支配・運営する。条件から計算すると、事業全体の価値は約40億ドルになる。新会社は運営費と設備投資を自ら賄う。

デンソーは、EV向けの炭化ケイ素ウエハーを安定して確保できるとした。三菱電機は炭化ケイ素パワー半導体の需要が急拡大するとみており、熊本県に200ミリウエハーの工場を計画していた。コヒレントは、炭化ケイ素の市場規模が2022年の30億ドルから2030年には210億ドルに拡大するとの予測を示した。

コヒレントのビンセント・マッテラCEOは、出資企業を迎えた子会社として分けることが株主価値を最大にする最善の道だと述べた。資金は増産の前倒しに使う。事業は引き続きソハイル・カーン氏が率い、日本の2社との供給契約は独立した取引条件で結ぶ。